Zobrazeno 1 - 10
of 71
pro vyhledávání: '"Rajavel, R.D."'
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2003 251(1):848-851
Autor:
Rajavel, R.D *, Brewer, P.D, Jamba, D.M, Jensen, J.E, LeBeau, C, Olson, G.L, Roth, J.A, Williamson, W.S, Bangs, J.W, Goetz, P, Johnson, J.L, Patten, E.A, Wilson, J.A
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2000 214:1100-1105
Autor:
Yi, W., Kiselev, A.A., Thorp, J., Noah, R., Nguyen, B.M., Bui, S., Rajavel, R.D., Hussain, T., Gyure, M.F., Kratz, P., Qian, Q., Manfra, M.J., Pribiag, V.S., Kouwenhoven, L.P., Marcus, C.M., Sokolich, M.
Publikováno v:
Applied Physics Letters, 106 (14), 2015
Gate-tunable high-mobility InSb/In1?xAlxSb quantum wells (QWs) grown on GaAs substrates are reported. The QW two-dimensional electron gas (2DEG) channel mobility in excess of 200?000?cm2/V?s is measured at T?=?1.8?K. In asymmetrically remote-doped sa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::6b9f8312f7fae5a5b27833a4a28c4b93
http://resolver.tudelft.nl/uuid:2ad08b65-ebc5-42b1-8eed-aa4aa4bda436
http://resolver.tudelft.nl/uuid:2ad08b65-ebc5-42b1-8eed-aa4aa4bda436
Autor:
Rajavel, R.D., Chen, M.Y., Royter, Y., Li, J.C., Bui, S.S., Chow, D.H., Sokolich, M., Hussain, T., Hitko, D.A.
Publikováno v:
2006 International Conference on Indium Phosphide & Related Materials Conference Proceedings; 2006, p387-390, 4p
Publikováno v:
2006 International Conference on Indium Phosphide & Related Materials Conference Proceedings; 2006, p85-88, 4p
Autor:
Hussain, T., Hitko, D.A., Royter, Y., Rajavel, R.D., Elliott, K., McCalla, K., Madhav, M., Sokolich, M.
Publikováno v:
International Conference on Indium Phosphide & Related Materials, 2005; 2005, p347-350, 4p
Autor:
Hitko, D.A., Hussain, T., Jensen, J.F., Royter, Y., Morton, S.L., Matthews, D.S., Rajavel, R.D., Milosavljevlc, I., Fields, C.H., Thomas, S., III, Kurdoghllan, A., Lao, Z., Elliott, K., Sokolfch, M.
Publikováno v:
IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium, 2004; 2004, p167-170, 4p
Autor:
Sokolich, M., Chen, M.Y., Chow, D.H., Royter, Y., Thomas III, S., Fields, C.H., Hitko, D.A., Shi, B., Montes, M., Bui, S.S., Boegeman, Y.K., Arthur, A., Duvall, J., Martinez, R., Hussain, T., Rajavel, R.D., Li, J.C., Elliott, K., Thompson, J.D.
Publikováno v:
25th Annual Technical Digest 2003. IEEE Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposium, 2003; 2003, p219-222, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.