Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Rajapitamahuni, Anil Kumar"'
Autor:
Rajapitamahuni, Anil Kumar, Nair, Sreejith, Yang, Zhifei, Manjeshwar, Anusha Kamath, Jeong, Seung Gyo, Nunn, William, Jalan, Bharat
Epitaxially grown RuO2 films on TiO2 (110) exhibit significant in-plane strain anisotropy, with a compressive strain of - 4.7% along the [001] crystalline direction and a tensile strain of +2.3% along [1-10]. As the film thickness increases, anisotro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2312.07869
Hysteretic magnetoresistance (MR) is often used as a signature of ferromagnetism in conducting oxide thin films and heterostructures. Here, magnetotransport is investigated in a non-magnetic uniformly La-doped SrSnO3 film grown using hybrid molecular
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.04965
Autor:
Rajapitamahuni, Anil Kumar, Thoutam, Laxman Raju, Ranga, Praneeth, Krishnamoorthy, Sriram, Jalan, Bharat
By combining temperature-dependent resistivity and Hall effect measurements, we investigate donor state energy in Si-doped \b{eta}-Ga2O3 films grown using metal-organic vapor phase epitaxy (MOVPE). High magnetic field Hall effect measurements (H = +/
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2010.00193
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Manjeshwar, Anusha Kamath, Nair, Sreejith, Rajapitamahuni, Anil Kumar, James, Richard D., Jalan, Bharat
Publikováno v:
ACS Nano; November 2023, Vol. 17 Issue: 21 p20999-21005, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Truttmann, Tristan K., Zhou, Jin-Jian, Lu, I-Te, Rajapitamahuni, Anil Kumar, Liu, Fengdeng, Mates, Thomas E., Bernardi, Marco, Jalan, Bharat
The discovery and development of ultra-wide bandgap (UWBG) semiconductors is crucial to accelerate the adoption of renewable power sources. This necessitates an UWBG semiconductor that exhibits robust doping with high carrier mobility over a wide ran
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od________38::15fc6f307f9402b362da9817cd90f9cb
https://resolver.caltech.edu/CaltechAUTHORS:20211111-210019575
https://resolver.caltech.edu/CaltechAUTHORS:20211111-210019575
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rajapitamahuni, Anil Kumar, Manjeshwar, Anusha Kamath, Kumar, Avinash, Datta, Animesh, Ranga, Praneeth, Thoutam, Laxman Raju, Krishnamoorthy, Sriram, Singisetti, Uttam, Jalan, Bharat
Publikováno v:
ACS Nano; 6/28/2022, Vol. 16 Issue 6, p8812-8819, 8p