Zobrazeno 1 - 10
of 63
pro vyhledávání: '"Rahman, Sheikh Ifatur"'
Autor:
Rahman, Sheikh Ifatur, Awwad, Mohammad, Joishi, Chandan, Eddine, Zane-Jamal, Gunning, Brendan, Armstrong, Andrew, Rajan, Siddharth
GaN/InGaN microLEDs are a very promising technology for next generation displays. Switching control transistors and their integration are key components in achieving high-performance, efficient displays. Monolithic integration of microLEDs with GaN s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.05095
Autor:
Awwad, Mohammad, Rahman, Sheikh Ifatur, Joishi, Chandan, Anderson, Betty Lise, Rajan, Siddharth
This paper describes the design and characteristics of monolithically integrated three-terminal gated III-Nitride light emitting diodes (LEDs) devices. The impact of channel doping and thickness on the voltage penalty of the transistor-LED hybrid dev
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.04995
We demonstrate graded AlGaN/GaN heterojunction bipolar transistors (HBTs) with selective injection of minority carriers across a p-GaN base and patterned regrown base contacts. The selective injection design regulates minority carrier transport under
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.09886
Longer wavelength emitters such as green LEDs display a pronounced efficiency drop at higher current densities, resulting in relatively low wall-plug efficiency. Multi-active region approach can improve the wall-plug efficiency significantly and tack
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.05661
Autor:
Dhara, Sushovan, Kalarickal, Nidhin Kurian, Dheenan, Ashok, Rahman, Sheikh Ifatur, Joishi, Chandan, Rajan, Siddharth
$\beta$-Ga$_2$O$_3$ trench Schottky barrier diodes fabricated through a Gallium atomic beam etching technique, with excellent field strength and power device figure of merit, are demonstrated. Trench formation was accomplished by a low-damage Ga flux
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.04870
Autor:
Rahman, Sheikh Ifatur, Jamal-Eddine, Zane, Xia, Zhanbo, Awwad, Mohammad, Armitage, Rob, Rajan, Siddharth
III-Nitride light emitting diodes (LEDs) are widely used in a range of high efficiency lighting and display applications, which have enabled significant energy savings in the last decade. Despite the wide application of GaN LEDs, transport mechanisms
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.05704
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bahrami, Behzad, Chowdhury, Ashraful Haider, Gurung, Ashim, Mabrouk, Sally, Reza, Khan Mamun, Rahman, Sheikh Ifatur, Pathak, Rajesh, Qiao, Qiquan
Publikováno v:
In Nano Today August 2020 33
