Zobrazeno 1 - 10
of 49
pro vyhledávání: '"Rahman, Mohammad Wahidur"'
Autor:
Rahman, Mohammad Wahidur
This dissertation investigates new approaches to improve the breakdown performance of III-Nitride based lateral power devices. III-Nitride lateral devices are excellent candidates for next-generation high-voltage and high-frequency switching applicat
Autor:
Kalarickal, Nidhin Kurian, Fiedler, Andreas, Dhara, Sushovan, Rahman, Mohammad Wahidur, Kim, Taeyoung, Xia, Zhanbo, Eddine, Zane Jamal, Dheenan, Ashok, Brenner, Mark, Rajan, Siddharth
In-situ etching using Ga flux in an ultra-high vacuum environment like MBE is introduced as a method to make high aspect ratio 3 dimensional structures in $\beta$-Ga2O3. Etching of $\beta$-Ga2O3 due to excess Ga adatoms on the epilayer surface had be
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.09503
Autor:
Verma, Darpan, Adnan, Md Mohsinur Rahman, Rahman, Mohammad Wahidur, Rajan, Siddharth, Myers, Roberto C.
The eXciton Franz-Keldysh (XFK) effect is observed in GaN p-n junction diodes via the spectral variation of photocurrent responsivity data that redshift and broaden with increasing reverse bias. Photocurrent spectra are quantitatively fit over a broa
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.03583
Autor:
Razzak, Towhidur, Chandrasekar, Hareesh, Hussain, Kamal, Lee, Choong Hee, Mamun, Abdullah, Xue, Hao, Xia, Zhanbo, Sohel, Shahadat H., Rahman, Mohammad Wahidur, Bajaj, Sanyam, Wang, Caiyu, Lu, Wu, Khan, Asif, Rajan, Siddharth
In this paper, we report enhanced breakdown characteristics of Pt/BaTiO3/Al0.58Ga0.42N lateral heterojunction diodes compared to Pt/Al0.58Ga0.42N Schottky diodes. BaTiO3, an extreme dielectric constant material, has been used, in this study, as diele
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1910.02303
Thesis (M.S.)--Auburn University, 2008.
Vita. Includes bibliographical references (p. 137-149).
Vita. Includes bibliographical references (p. 137-149).
Externí odkaz:
http://repo.lib.auburn.edu/EtdRoot/2008/SUMMER/Geology_and_Geography/Thesis/Rahman_Mohammad_54.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Lee, Hyun-Soo, Rahman, Mohammad Wahidur, Verma, Darpan, Poole, Violet M., Myers, Roberto C., McCluskey, Matthew D., Rajan, Siddharth
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Nanotechnology & Microelectronics; Dec2022, Vol. 40 Issue 6, p1-6, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.