Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"Rahman, Fahim Ur"'
Publikováno v:
In Procedia Computer Science 2022 215:289-298
Autor:
Khan, Saeed Uz Zaman, Hossain, Md. Shafayat, Hossen, Md. Obaidul, Rahman, Fahim Ur, Zaman, Rifat, Khosru, Quazi D. M.
This paper presents a self-consistent numerical model for calculating the charge profile and gate capacitance and therefore obtaining C-V characterization for a gate-all-around graded nanowire MOSFET with a high mobility axially graded In0.75Ga0.25As
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1406.5257
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sun, Xun, Rahman, Fahim ur, Pamula, Venkata Rajesh, Kim, Sung, Li, Xi, John, Naveen, Sathe, Visvesh S.
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits; Nov2019, Vol. 54 Issue 11, p3215-3225, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Khan, Saeed Uz Zaman, Hossain, Md. Shafayat, Rahman, Fahim Ur, Zaman, Rifat, Hossen, Md. Obaidul, Khosru, Quazi D. M.
Publikováno v:
8th International Conference on Electrical & Computer Engineering; 2014, p100-103, 4p