Zobrazeno 1 - 10
of 296
pro vyhledávání: '"Ragnarsson, L. Å"'
Autor:
Alam, Md Nur K., Clima, S., Kaczer, B., Roussel, Ph., Truijen, B., Ragnarsson, L. - A., Horiguchi, N., Heyns, M., Van Houdt, J.
Existence of quasi-static negative capacitance (QSNC) was proposed from an interpretation of the widely accepted Landau model of ferroelectrics. However, many works showed not to support the QSNC theory, making it controversial. In this letter we sho
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.13138
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics April 2019 154:24-30
Autor:
Lafferty, Neal V., Grunes, Harsha, Mirabelli, G., Tsai, Y.-P., Chang, Y.-H., Velenis, D., Kim, R.-H., Myers, J., Ragnarsson, L.-Å., Zografos, O., Hellings, G.
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; April 2024, Vol. 12954 Issue: 1 p129540E-129540E-7, 1165868p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nichau, A., Schäfer, A., Knoll, L., Wirths, S., Schram, T., Ragnarsson, L.-Å., Schubert, J., Bernardy, P., Luysberg, M., Besmehn, A., Breuer, U., Buca, D., Mantl, S.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering September 2013 109:109-112
Autor:
Ritzenthaler, R., Schram, T., Bury, E., Spessot, A., Caillat, C., Srividya, V., Sebaai, F., Mitard, J., Ragnarsson, L.-Å., Groeseneken, G., Horiguchi, N., Fazan, P., Thean, A.
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2013 84:22-27
Autor:
Franco, J., Graziano, S., Kaczer, B., Crupi, F., Ragnarsson, L.-Å., Grasser, T., Groeseneken, G.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability September-October 2012 52(9-10):1932-1935
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(7):1317-1322
Autor:
Chiarella, T., Witters, L., Mercha, A., Kerner, C., Rakowski, M., Ortolland, C., Ragnarsson, L.-Å., Parvais, B., De Keersgieter, A., Kubicek, S., Redolfi, A., Vrancken, C., Brus, S., Lauwers, A., Absil, P., Biesemans, S., Hoffmann, T.
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2010 54(9):855-860