Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"Rack, Martin"'
Autor:
Nyssens, Lucas, Rack, Martin, Schwan, Christoph, Zhao, Zhixing, Lehmann, Steffen, Hermann, Tom, Allibert, Frederic, Aulnette, Cécile, Lederer, Dimitri, Raskin, Jean-Pierre
Publikováno v:
In Solid State Electronics August 2022 194
Autor:
Halder, Arka, Nyssens, Lucas, Rack, Martin, Lederer, Dimitri, Raskin, Jean-Pierre, Kilchytska, Valeriya
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2021 184
Autor:
Nabet, Massinissa, Rack, Martin, Hashim, Nur Zatil Ismah, de Groot, C.H. (Kees), Raskin, Jean-Pierre
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2020 168
Autor:
Scheen, Gilles, Tuyaerts, Romain, Rack, Martin, Nyssens, Lucas, Rasson, Jonathan, Nabet, Massinissa, Raskin, Jean-Pierre
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2020 168
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Moulin, Maxime, Fache, Thibaud, Rack, Martin, Plantier, Christophe, Lugo, Jose, Hutin, Louis, Raskin, Jean-Pierre
Publikováno v:
VLSI-TSA
VLSI-TSA, Apr 2023, Hsinchu, Taiwan. ⟨10.1109/VLSI-TSA/VLSI-DAT57221.2023.10133956.⟩
VLSI-TSA, Apr 2023, Hsinchu, Taiwan. ⟨10.1109/VLSI-TSA/VLSI-DAT57221.2023.10133956.⟩
International audience; We report on a novel technique for localized interface passivation in High-Resistivity (HR) silicon-based substrates. Called Field Effect Depletion Regions (FEDR), it relies on alternating dielectrics with fixed charge densiti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3515::ae8f23eccf4978a25683b134adc35497
https://cea.hal.science/cea-04139268
https://cea.hal.science/cea-04139268
Autor:
Vandermolen, Eric, Ferrandis, Philippe, Allibert, Frédéric, Nabet, Massinissa, Rack, Martin, Raskin, Jean-Pierre, Cassé, Mikaël
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/7/2021, Vol. 129 Issue 21, p1-8, 8p
Autor:
Bertrand, Isabelle, Flatresse, Philippe, Besnard, Guillaume, Bethoux, Jean-Marc, Chalupa, Zdenek, Plantier, Christophe, Rack, Martin, Nabet, Massinissa, Raskin, Jean-Pierre, Allibert, Frederic
Publikováno v:
ECS Transactions, Vol. 108, no.5, p. 31-45 (2022)
FD-SOI CMOS technology is entering the mmWave realm, providing undeniable benefits in terms of data-rates, bandwidth, latency and power consumption improvements. The high resistivity substrate option is seen as a major booster to reach ultimate mmWav
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4644067d9450e6e44826f4ab5ea080d1
https://doi.org/10.1149/10805.0031ecst
https://doi.org/10.1149/10805.0031ecst