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Repetitive short circuit capability of SiC MOSFET at specific low gate-source voltage bias for more robust extreme operation

Autor: Jouha, Wadia, Richardeau, Frédéric, Azzopardi, Stephane

Publikováno v: In Microelectronics Reliability November 2021 126

Fast cut-off, low I2T and high temperature monolithic on-chip fuse on silicon substrate for new fail-safe embedded power switch

Autor: Oumaziz, Amirouche, Sarraute, Emmanuel, Richardeau, Frédéric, Bourennane, Abdelhakim, Combettes, Céline, Bley, Vincent, Ghannam, Ayad

Publikováno v: In Microelectronics Reliability November 2021 126

Concept and Technology for Full Monolithic MOSFET and JBS Vertical Integration in Multi-Terminal 4H-SiC Power Converters

Autor: Makhoul, Ralph, Beydoun, Nour, Bourennane, Abdelhakim, Phung, Luong Viet, Richardeau, Frédéric, Lazar, Mihai, Godignon, Philippe, Planson, Dominique, Morel, Hervé, Bourrier, David

Publikováno v: Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; August 2024, Vol. 358 Issue: 1 p23-30, 8p

Méthode de préconditionnement du HEMT GaN pour une mesure reproductible de Vth

Autor: Ghizzo, Lucien, Trémouilles, David, Richardeau, Frédéric

Publikováno v: SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2023)
SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2023), Jul 2023, Lille, France. https://sge2023.sciencesconf.org/resource/page/id/35

National audience; RESUME - Dans les études de fiabilité, l'instabilité de la tension de seuil (Vth) est problématique lorsque V th est utilisé comme indicateur car elle masque une éventuelle dérive due au vieillissement réel du composant. Ce

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