Zobrazeno 1 - 10
of 1 579
pro vyhledávání: '"RESISTIVE SWITCHING MEMORY"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 9, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Halide perovskites (HPs) are promising materials for memristor devices because of their unique characteristics. In this study, nonvolatile resistive switching memory devices based on thick MAPbI3 perovskite (800 nm) films with structure FTO/
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/29a578ff1b7f4a44b82bd69a7dcfe06e
Publikováno v:
Advanced Science, Vol 11, Iss 23, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Metal halide perovskites (MHPs) are considered as promising candidates in the application of nonvolatile high‐density, low‐cost resistive switching (RS) memories and artificial synapses, resulting from their excellent electronic and opto
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9a005a24613641d28aaf8d2b0cd0da51
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Seung Soo Kim, Soo Kyeom Yong, Jihun Kim, Jin Myung Choi, Tae Won Park, Hyun Young Kim, Hae Jin Kim, Cheol Seong Hwang
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 3, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract A hole‐type vertical structure is adopted to fabricate a vertically stacked resistive switching random access memory (ReRAM) array. The vertical configuration is more advantageous in lowering the process cost and increasing integration den
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3616e16c945b4aeab0153e149bd2b5e4