Zobrazeno 1 - 10
of 2 434
pro vyhledávání: '"RAINE, C"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Journal of Plastic, Reconstructive & Aesthetic Surgery February 2018 71(2):201-208
Publikováno v:
IEEE Trans.Nucl.Sci. 44 (1997) 1705-1707
The motivation for investigating the use of GaAs as a material for detecting particles in experiments for High Energy Physics (HEP) arose from its perceived resistance to radiation damage. This is a vital requirement for detector materials that are t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/physics/9709034
Autor:
Adams, R., Bates, R., Da Via, C., Johnson, N. P., O'Shea, V., Pickford, A., Raine, C., Smith, K.
Thick epitaxial layers have been grown using Low Pressure Vapour Phase Epitaxy techniques with low free carrier concentrations . This type of material is attractive as a medium for X-ray detection, because of its high conversion efficiency for X-rays
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/physics/9709035
Publikováno v:
Nucl.Instrum.Meth. A395 (1997) 54-59
Semi-insulating, undoped, Liquid Encapsulated Czochralski (SI-U LEC) GaAs detectors have been irradiated with 1MeV neutrons, 24GeV/c protons, and 300MeV/c pions. The maximum fluences used were 6, 3, and 1.8~10$^{14}$ particles/cm$^{2}$ respectively.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/physics/9708033
Publikováno v:
Nucl.Instrum.Meth. A392 (1997) 269-273
The present understanding of the charge collection in GaAs detectors with respect to the materials used and its processing are discussed. The radiation induced degradation of the charge collection efficiency and the leakage current of the detectors a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/physics/9708034
Publikováno v:
Nucl.Instrum.Meth. A410 (1998) 46-53
GaAs Schottky diode detectors have been fabricated upon Low Pressure Vapour Phase Epitaxial GaAs. The devices were characterised before and after a $1.25 \times 10^{14}$~cm$^{-2}$ 24GeV/c proton fluence. The as fabricated Ti-GaAs barrier height was m
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/physics/9708032
Autor:
Raine, C. A., Sheffield, E.
Publikováno v:
American Fern Journal, 1997 Jul 01. 87(3), 87-92.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/1547268