Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"RADIATION DEFECT DYNAMICS"'
We present a numerical study on swift ion induced effects in crystalline 3C silicon carbide (SiC) by the two-temperature model, which considering the electronic stopping and electronic-phonon coupling effects simultaneously. Given the results of over
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::64aee8ce3867edea9fcd040f30a7a5f4
http://hdl.handle.net/10138/336455
http://hdl.handle.net/10138/336455
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.