Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"R.W. Schanzer"'
Autor:
R.W. Schanzer, T.J. Lahey, O.D. Patterson, D.M. Oman, D.M. Shuttleworth, L.J. Olmer, T.S. Campbell
Publikováno v:
2004 IEEE/SEMI Advanced Semiconductor Manufacturing Conference and Workshop (IEEE Cat. No.04CH37530).
This paper presents a case study in the identification and resolution of a product-specific systematic yield loss problem. The approach taken employed multiple parallel avenues of investigation including critical area analysis, analysis of wafer and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93abe4e720ccccc92d95c9a663e730bf
https://doi.org/10.1109/asmc.2004.1309615
https://doi.org/10.1109/asmc.2004.1309615
Autor:
E.P. Martin, S.A. Lytle, J.W. Kearney, D.M. Wroge, R.W. Schanzer, K.R. Stiles, M.J. Thoma, R.W. Key, J.W. Sniegowski, B.R. Jones, A.L. Brooks, I.C. Kizilyalli, S.F. Shive
Publikováno v:
Proceedings of Custom Integrated Circuits Conference.
In this paper a manufacturable and high performance 0.35 /spl mu/m CMOS ASIC technology optimized for 3.3 V operation is presented. This CMOS technology features a 65 /spl Aring/ gate oxide, single n/sup +/-polysilicon gate, and 3 levels of metal. An
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a0da6b059f129111d1ee0311b4af3dbc
https://doi.org/10.1109/cicc.1996.510506
https://doi.org/10.1109/cicc.1996.510506
Periodical
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.