Zobrazeno 1 - 10
of 111
pro vyhledávání: '"R.W. Ryan"'
Autor:
Timothy J. Niesen, M.M. Ali, Mandip Gakhal, A. Graif, R.W. Ryan, C. Grilli, D. Leung, G. Kimbiris, D.J. Agriantonis, A.G. Froush
Publikováno v:
Journal of Vascular and Interventional Radiology. 26:S75
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::222fef2a69fae2eb356738a7995c7353
https://doi.org/10.1016/j.jvir.2014.12.209
https://doi.org/10.1016/j.jvir.2014.12.209
Autor:
R.J. Malik, Jenshan Lin, Young-Kai Chen, R.W. Ryan, D.A. Humphrey, Rose Kopf, R. A. Hamm, A. Tate
Publikováno v:
IEEE Microwave and Guided Wave Letters. 5:379-381
Two Ka-band monolithic voltage controlled oscillators (VCO's) designed in a coplanar waveguide (CPW) structure are described. Each VCO utilizes an InGaAs/InP heterojunction bipolar transistor (HBT) as the active device and an HBT base-collector junct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1a7b2d749e7ea4f861c518554c5fb442
https://doi.org/10.1109/75.473536
https://doi.org/10.1109/75.473536
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Significant improvements in the reliability as well as yield and reproducibility of GaAs planar doped barrier (PDB) microwave detector diodes have been achieved by substituting carbon-doped acceptor regions in place of conventional beryllium acceptor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::801f41f5e578ec7b871f7891b1d9c6c3
https://doi.org/10.1109/cornel.1993.303102
https://doi.org/10.1109/cornel.1993.303102
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Band Structure Engineering in Semiconductor Microstructures ISBN: 9781475707724
A new method has been developed for the growth of graded band-gap Al x Ga 1-x As alloys by molecular beam epitaxy which is based upon electron beam evaporation of the Group III elements. The metal evaporation rates are measured real-time and feedback
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::205b206647a9cf767939409605678aaa
https://doi.org/10.1007/978-1-4757-0770-0_18
https://doi.org/10.1007/978-1-4757-0770-0_18
Autor:
R.J. Malik, R.A. Hamm, R.F. Kopf, R.W. Ryan, R.K. Montgomery, J. Lin, D.A. Humphrey, A. Tate, Y.K. Chen
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Summary form only given. We have developed a new self-aligned thin emitter HBT process technology to fabricate high performance InP/InGaAs/InP DHBTs for digital and microwave IC applications. The epistructure which is grown by MOMBE features a C-dope
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1160ab982d137af328510711663bbbad
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0029711072&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0029711072&partnerID=MN8TOARS
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.