Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"R.W. Gedridge"'
Autor:
M. Patel, Laurence P. Sadwick, D. Brehmer, S.J. Allen, K. McCormick, M. Nikols, R.W. Gedridge, Jeffrey E. Shield, R. J. Hwu, D.C. Streit, P. P. Lee
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 164:285-290
We report the first known study of the growth of epitaxial dysprosium phosphide (DyP) grown on gallium arsenide (GaAs). DyP is lattice matched to GaAs, with the room-temperature mismatch being less than 0.01%. We have grown DyP on GaAs by gas-source
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 126:309-316
The organometallic vapor phase epitaxial (OMVPE) growth of In-containing III–V semiconductors typically uses trimethylindium (TMIn). However, TMIn suffers from several problems. First, it is well known that the effective vapor pressure of solid TMI
Autor:
Robert M. Biefeld, R.W. Gedridge
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 124:150-157
The growth of InSb using triisopropylantimony (TIPSb) or tertiarybutyldimethylantimony (TBDMSb) and TMIn was investigated over a temperature range of 350 to 475°C. The growth rates of InSb using TMIn and either TIPSb or TBDMSb at temperatures ≤425
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 124:363-370
The growth by MOVPE of InSb epilayers on GaAs substrates has been studied. There are a number of well established problems in the growth of this material by MOVPE including the high lattice mismatch of 14.5%, the low melting point of InSb, and the po
Publikováno v:
Sixth International Conference Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
Autor:
R.M. Biefeld, R.W. Gedridge
Publikováno v:
Sixth International Conference Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.
Publikováno v:
Fifteenth International Conference on Thermoelectrics. Proceedings ICT '96.
The reactive precursors M(NMe/sub 2/)/sub 3/ (M=Sb, Bi) and (Me/sub 1/Si)/sub 2/Te were used to deposit films of M/sub 2/Te/sub 3/ (M=Sb, Bi) on Si(111) cut 4/spl deg/ off-axis, GaAs(100), and Kapton substrates between 25/spl deg/C and 150/spl deg/C
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.