Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"R.V. Levin"'
Autor:
null V. M. Andreev, null V.R. Larionov, null P.V. Pokrovskii, null D. A. Malevskii, null R.A. Salii, null R.V. Levin, null F. Y. Soldatenkov, null N. A. Kalyuzhnyy, null A. V. Malevskaya
Publikováno v:
Technical Physics. 68:161
Development of lift-off technique of AlGaAs/GaAs- heterostructures, grown by the Metalorganic vapour-phase epitaxy, to GaAs carrier-substrate using silver-containing paste or Au-In compound has been carried out. Forming process of frontal ohmic conta
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2e54c3741abb54228a92bd1b0a39b11c
https://doi.org/10.21883/tp.2023.01.55451.166-22
https://doi.org/10.21883/tp.2023.01.55451.166-22
Autor:
A.S. Vlasov, R.V. Levin
Publikováno v:
Vibrational Spectroscopy. 123:103451
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e2f9e0426a5cb50fae3cead279984a95
https://doi.org/10.1016/j.vibspec.2022.103451
https://doi.org/10.1016/j.vibspec.2022.103451
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
G.G. Zegrya, B.V. Pushnyi, I.A. Andreev, E.V. Ivanov, G.G. Konovalov, R.V. Levin, M.P. Mikhailova, L.V. Danilov
Publikováno v:
Физика и техника полупроводников. 52:476
Abstractn -GaSb/ n -InAs/ p -GaSb heterostructure with a single InAs QW was grown for the first time by MOVPE. Photocurrent spectra were obtained at reverse bias in the range from 0 to 0.8 V. It was shown that the photocurrent increases nonlinearly.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::701eca1080cc1451eb375397b734fdd4
https://doi.org/10.21883/ftp.2018.04.45825.14
https://doi.org/10.21883/ftp.2018.04.45825.14
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.