Zobrazeno 1 - 10
of 32
pro vyhledávání: '"R.T. Fulks"'
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. :1252-1259
Pulsed excimer-laser processing of amorphous silicon on non-crystalline substrates allows the creation of new materials and devices. In this paper, we review (1) fabrication of polysilicon thin film transistors (TFTs) on glass substrates, (2) integra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::204daf4ae79df7209947575e11b887bb
https://doi.org/10.1016/s0022-3093(99)00933-3
https://doi.org/10.1016/s0022-3093(99)00933-3
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 22:86-88
A new top gate polysilicon thin-film transistor (TFT) architecture is introduced which requires only a single laser process step to simultaneously crystallize the channel and activate the source-drain. The dummy-gate TFT (DGTFT) uses a light blocking
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::072199bcad203e393f7197c42042f935
https://doi.org/10.1109/55.902840
https://doi.org/10.1109/55.902840
Publikováno v:
58th DRC. Device Research Conference. Conference Digest (Cat. No.00TH8526).
Summary form only given. Laser crystallized polysilicon thin film transistors (TFTs) have been found attractive for active matrix addressing with integrated drivers on low temperature glass substrates and more recently on plastic substrates. The TFT
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ab68d0dfe9623f9f4ee400267a5c7c6e
https://doi.org/10.1109/drc.2000.877107
https://doi.org/10.1109/drc.2000.877107
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 4:380-382
Titanium silicide thin films, sputter deposited from a composite silicide target, have been rapidly sintered in ∼10 s to produce extremely uniform highly conductive layers (≲ Ω/sq \plusmn; 1 percent over a 4-in wafer) with film stress comparable
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::73f4cb4d28f55eb84f86bd2ba9e4179a
https://doi.org/10.1109/edl.1983.25771
https://doi.org/10.1109/edl.1983.25771
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.