Zobrazeno 1 - 10
of 44
pro vyhledávání: '"R.T. Carline"'
Publikováno v:
Thin Solid Films. 364:33-39
Oxide layers on undoped GaAs substrates have been assessed by grazing incidence X-ray reflectivity (GIXR), spectroscopic ellipsometry (SE), surface photoabsorption (SPA) and atomic force microscopy (AFM). In addition to providing a comparison between
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5adc72116125f2eb1150418126e86e44
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(99)00959-1
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(99)00959-1
Publikováno v:
Thin Solid Films. :579-582
Results presented in this paper demonstrate that photo-modulated spectroscopic ellipsometry (PSE) can provide real-time information on electric field and composition without observation of FKO oscillations. Comparison with PR and PSE at the E 0 criti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e43804c40e160ca08f8a611cc03f6792
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)00888-2
https://doi.org/10.1016/s0040-6090(97)00888-2
Publikováno v:
Thin Solid Films. 222:73-77
High resolution Raman spectroscopy and spectroscopic ellipsometry have been used to characterize SiGe superlattices and single strained epitaxial layers. The results are interpreted to give information on material quality, composition, layer thicknes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::596e942d004bab8477dc7e49e43b41fa
https://doi.org/10.1016/0040-6090(92)90041-9
https://doi.org/10.1016/0040-6090(92)90041-9
Publikováno v:
52nd Annual Device Research Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6c44ee269cc679a61725fea4ec6a86ae
https://doi.org/10.1109/drc.1994.1009435
https://doi.org/10.1109/drc.1994.1009435
Publikováno v:
[Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials.
The results of a theoretical study of the charge control characteristics of different n-channel InP-based HFETs are presented. The calculations involve determining the variation of the two-dimensional electron gas (2DEG) density, n/sub s/, with gate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0c6a68469faf031159336db902f3bd5
https://doi.org/10.1109/iciprm.1991.147352
https://doi.org/10.1109/iciprm.1991.147352
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest.
We describe the fabrication, modelling and performance of a resonant cavity detector using epitaxial p-type SiGe/Si quantum wells grown over a high reflectance tungsten silicide layer. The device operates in the 8-12 /spl mu/m band in normal incidenc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2cbd86dd1dc33f42e0c7096061a70a70
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650524
https://doi.org/10.1109/iedm.1997.650524
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.