Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"R.S. Beaubien"'
Publikováno v:
IEEE/Cornell Conference on Advanced Concepts in High Speed Semiconductor Devices and Circuits, 1987. Proceedings..
Publikováno v:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques. 37:2086-2092
Pseudomorphic high-electron-mobility transistors (PHEMTs) with gate lengths of 0.1 mu m and based on the AlGaAs-InGaAs-GaAs material system are presented. The room-temperature device noise figure at 43 GHz is measured to be 1.32 dB (noise temperature
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 9:482-484
The fabrication of fifteen-stage ring oscillators and static flip-flop frequency dividers with 0.2- mu m gate-length AlInAs/GaInAs HEMT technology is described. The fabricated HEMT devices within the circuits demonstrated a g/sub m/ transconductance
Publikováno v:
1987 International Electron Devices Meeting.
Publikováno v:
1986 International Electron Devices Meeting.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.