Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"R.R. Barron"'
Autor:
G. Augustine, J.D. Oliver, P.M. Esker, R.C. Brooks, R.R. Barron, H. G. Henry, Rowland C. Clarke, A.W. Morse, B.W. Veasel, G. C. DeSalvo
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 51:839-845
Previous efforts have revealed instabilities in standard SiC MESFET device electrical characteristics, which have been attributed to charged surface states. This work describes the use of an undoped "spacer" layer on top of a SiC MESFET to form a "bu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cc3bf2deef015d497bf018d55a48fa3b
https://doi.org/10.1109/ted.2004.828279
https://doi.org/10.1109/ted.2004.828279
Autor:
W. J. Malkowski, B.A. Morick, J. R. Gigante, K.J. Petrosky, A.W. Morse, R.R. Barron, G. C. DeSalvo, Rowland C. Clarke, W.R. Curtice, T.J. Knight, J.A. Ostop
Publikováno v:
60th DRC. Conference Digest Device Research Conference.
The Static Induction Transistor (SIT) has proven itself as an appropriate device to take full advantage of the high breakdown field strength, thermal conductivity, and electron velocity characteristics of silicon carbide. Microwave SITs using metal S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4f9d1c9cce6e737928ea8f14c6cc552b
https://doi.org/10.1109/drc.2002.1029586
https://doi.org/10.1109/drc.2002.1029586
Autor:
R.R. Barron, D.M. Schultheis
Publikováno v:
1994 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest (Cat. No.94CH3389-4).
This paper describes a 90 kW L-band solid state transmitter for the next generation air route surveillance radar (ARSR-4) which supports a system clutter cancellation ratio greater than 65 dB. The transmitter contains phase control loops for beam ste
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8344a8a32647371112cbbc324f83f5cc
https://doi.org/10.1109/mwsym.1994.335612
https://doi.org/10.1109/mwsym.1994.335612
Autor:
C.D. Brandt, J.J. Hawkins, A.W. Morse, R.R. Barron, J.A. Ostop, T.J. Smith, S. Sriram, P.M. Esker, Rowland C. Clarke, R.R. Siergiej, C.D. Davis, L.-S. Chen
Publikováno v:
1997 IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest.
Silicon carbide is emerging semiconductor material which is now proven to be especially well suited for high power, high frequency applications. Recent results verify the superiority of silicon carbide over both silicon or gallium arsenide for fabric
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8004aff2e52bddf7d6fe37c025e1c0f3
https://doi.org/10.1109/mwsym.1997.604519
https://doi.org/10.1109/mwsym.1997.604519
Autor:
R.R. Barron, R.H. Hopkins, G. Augustine, A.A. Burk, S. Sriram, M.C. Driver, R.C. Glass, C.D. Brandt, T.J. Smith, Rowland C. Clarke, R.R. Siergiej, H.M. Hobgood, P.A. Orphanos, A.W. Morse
Publikováno v:
1995 53rd Annual Device Research Conference Digest.
Summary form only given. SiC MESFETs are very promising candidates for RF power amplification, due to their unique combination of high saturation velocity, high breakdown strength, and high thermal conductivity. In the present work, we demonstrate fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ad8642bd574048a37d0dcf82b359b913
https://doi.org/10.1109/drc.1995.496290
https://doi.org/10.1109/drc.1995.496290
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.