Zobrazeno 1 - 10
of 37
pro vyhledávání: '"R.P. Vaudo"'
Autor:
D. S. Katzer, David F. Storm, R.P. Vaudo, G.R. Brandes, Xueping Xu, Steven C. Binari, D.S. McVey, J.A. Mittereder, B. V. Shanabrook
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 281:32-37
We discuss the growth and characterization of homoepitaxial GaN layers and AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) on freestanding n -GaN substrates. The GaN substrates were
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::585e330e15531437a226a1284db3cc6a
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.03.009
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2005.03.009
Autor:
T.L Head, R. L. Lichti, Claude Schwab, Richard J. Molnar, M.R Dawdy, R.P Vaudo, Stephen J. Cox, Bassam Hitti
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :542-545
We have investigated the sites and motional properties of Mu− defect centers in GaN using muon nuclear-quadrupole level-crossing resonances (QLCR) and zero-field muon-spin depolarization measurements. The QLCR spectra imply that Mu− occupies inte
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0618a233e54ca8c3422ec2b81a54eb1f
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(00)00247-7
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(00)00247-7
Autor:
J.S. Flynn, Kanin Chu, K.B. Nichols, R. Actis, R.P. Vaudo, M.T. Pizzella, George R. Brandes, Xueping Xu, Joe A. Dion, P.C. Chao, D.E. Meharry
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 25:596-598
High power microwave AlGaN-GaN high electron-mobility transistors (HEMTs) on free-standing GaN substrates are demonstrated for the first time. Measured gate leakage was -2.2 /spl mu/A/mm at -20 V and -10 /spl mu/A/mm at -45 V gate bias. When operated
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3fe31eba9668c6776d404b55380024d4
https://doi.org/10.1109/led.2004.833847
https://doi.org/10.1109/led.2004.833847
Publikováno v:
Solid State Communications. 103:533-535
The transition involving an exciton bound to an ionized donor has been identified in GaN. The linewidth of the transition was not sufficiently narrow to permit identification from Zeeman studies. Instead, an alternative series of measurements includi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::34888d51e1c228346a25029f72ddd20a
https://doi.org/10.1016/s0038-1098(97)00231-7
https://doi.org/10.1016/s0038-1098(97)00231-7
Autor:
Benjamin V. Shanabrook, D. S. Katzer, David F. Storm, G.R. Brandes, Xueping Xu, D.S. McVey, R.P. Vaudo, Lin Zhou, J.A. Mittereder, David J. Smith, Steven C. Binari
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures. 23:1190
We have grown AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures by plasma-assisted molecular beam epitaxy on free-standing n-GaN substrates grown by hydride vapor phase epitaxy. Reflection high energy electron diffraction patterns of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9adff3f7c5d10cff8daaa804c49c5025
https://doi.org/10.1116/1.1885013
https://doi.org/10.1116/1.1885013
Autor:
B. V. Shanabrook, David F. Storm, D.S. McVey, X. Xu, R.P. Vaudo, D. S. Katzer, G.R. Brandes, Steven C. Binari
Publikováno v:
Electronics Letters. 40:1226
An AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure has been grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy (MBE) on a free-standing hydride vapour phase epitaxy-grown GaN substrate with a threading dislocation density of ∼8×106 cm−
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::97b3df8db506f78647b9a9b55417df99
https://doi.org/10.1049/el:20045859
https://doi.org/10.1049/el:20045859
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.