Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"R.P. Love"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 27:343-349
A 600-V vertical power MOSFET with low on-resistance is described. The low resistance is achieved by means of achieving near-ideal drain junction breakdown voltage and reduced drain spreading resistance from the use of an extended channel design. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9db96d5ad448d08f80cb9a8c3c1659a3
https://doi.org/10.1109/t-ed.1980.19866
https://doi.org/10.1109/t-ed.1980.19866
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 33:1667-1671
The application of localized carrier lifetime control to power devices is explored. A new type of power device, the insulated-gate transistor, was chosen for this study. Proton implantation was used as an agent of lifetime control by varying energy (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a4e5bf341ccdd462a906da209411c209
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22726
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22726
Autor:
R.P. Love, A. Mogro-Campero
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 29:703-706
Gold was introduced into silicon wafers by diffusion from the back surface. The voltage threshold for inversion, near-surface doping density, carrier-generation lifetime, and surface generation velocity were studied by C – V and C - t techniques. C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c3df5ad9fdd547b89fcb35e852c6f2cb
https://doi.org/10.1016/0038-1101(86)90155-3
https://doi.org/10.1016/0038-1101(86)90155-3