Zobrazeno 1 - 10
of 123
pro vyhledávání: '"R.P. Love"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Jiefei1 (AUTHOR) hcao@nmsu.edu, Bailey, Derek W.2 (AUTHOR) jiefei@nmsu.edu, Cao, Huiping1 (AUTHOR) stran@nmsu.edu, Son, Tran Cao1 (AUTHOR), Tobin, Colin T.3 (AUTHOR) colin.tobin@ndsu.edu
Publikováno v:
Sensors (14248220). Jul2024, Vol. 24 Issue 13, p4067. 14p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Madeira, Filipe1 (AUTHOR), Veiros, Luis F.1 (AUTHOR), Alves, Luis G.2 (AUTHOR) luis.g.alves@tecnico.ulisboa.pt, Martins, Ana M.1 (AUTHOR) luis.g.alves@tecnico.ulisboa.pt
Publikováno v:
Molecules. Dec2023, Vol. 28 Issue 24, p7998. 16p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 27:343-349
A 600-V vertical power MOSFET with low on-resistance is described. The low resistance is achieved by means of achieving near-ideal drain junction breakdown voltage and reduced drain spreading resistance from the use of an extended channel design. The