Zobrazeno 1 - 10
of 137
pro vyhledávání: '"R.O. Dusane"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. :689-692
The structural, electrical and optical properties of the a-Si:C:H alloy films grown with high deposition rates in the Hot Plasma Box (HPB) glow discharge reactor are reported. The electronic quality of these alloys is found to be equally good as that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3ae995ee42692ddedbcfddb8d40c9264
https://doi.org/10.1016/s0022-3093(05)80214-5
https://doi.org/10.1016/s0022-3093(05)80214-5
Publikováno v:
Journal of Non-Crystalline Solids. 119:342-346
The intricate relationship between the structure and processing parameters in a-Si:H is not well understood. The effect of variation in rf power on the structural, optical and electronic properties of glow discharge deposited hydrogenated amorphous s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd33f4a0b2947a4ff58591b80cfe67ba
https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)90307-8
https://doi.org/10.1016/0022-3093(90)90307-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Solid State Communications. 77:195-197
Electrical and structural measurements have been made on intrinsic and phosphorus doped a-Si:H films deposited by R.F. glow discharge at different substrate temperatures (T s ) in the range (50–400°C). Effective doping, parameterised as ratio of d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::be61aa0c26ff2c1bceb5c2a64e7d1ebb
https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90331-o
https://doi.org/10.1016/0038-1098(91)90331-o