Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"R.M.D.A. Velghe"'
Publikováno v:
Journal of Electrostatics. 56:399-414
Transmission line pulse (TLP) testing is well known for device characterisation in ESD circumstances. In this paper TLP is applied to full-integrated circuits and is shown to offer valuable data for the analysis of the ESD behaviour of ICs. TLP is th
Autor:
W. Jeamsaksiri, L.F. Tiemeijer, R.M.D.A. Velghe, Andries J. Scholten, D.B.M. Klaassen, A.T.A. Zegers-van Duijnhoven, R. de Kort, R. van Langevelde, R.J. Havens
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
Autor:
R.M.D.A. Velghe, H. Brut
Publikováno v:
ICMTS 1999. Proceedings of 1999 International Conference on Microelectronic Test Structures (Cat. No.99CH36307).
A new method allowing the automatic characterization of the subthreshold hump effect (Sallagoity et al., IEEE TED vol. 43, no. 11, pp. 1900-6, 1996) is presented in this paper. It makes use of a variable transformation based on observations made with
Publikováno v:
Proceedings of IEEE International Electron Devices Meeting.
Analog applications of MOS transistors in integrated circuits impose enhanced requirements on the compact MOS models used in circuit simulators. Here we present for the Philips MOS MODEL 9 the successful confrontation with these analog requirements,
Autor:
Jeroen Croon, E. Augendre, F.R.J. Huisman, R.M.D.A. Velghe, K.N. Sreerambhatla, Youri Victorovitch Ponomarev, L.P. Bellefroid, M.N. Webster, M. Da Rold, E. Seevinck, Ray Duffy, M.J.B. Bolt, R.F.M. Roes, A.T.A. Zegers-van Duijnhoven, R. Surdeanu, M. Vertregt, Hans Tuinhout, A.J. Moonen, Peter Stolk, N.K.J. van Winkelhoff, C.J.J. Dachs
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. Technical Digest (Cat. No.01CH37224).
This paper studies the suitability of CMOS device technology for mixed-signal applications. The currently proposed scaling scenario's for CMOS technologies lead to strong degradation of analog transistor performance. As a result the combined optimiza
Autor:
Andries J. Scholten, L.F. Tiemeijer, C. Detcheverry, D.B.M. Klaassen, R.J. Havens, V. C. Venezia, W. Jeamsaksin, L. Grau, H.M.J. Boots, R.M.D.A. Velghe
Publikováno v:
32nd European Solid-State Device Research Conference.
We have investigated the RF potential of 100nm CMOS technology. A high cut-off frequency of 140 GHz for 80nm (actual gate length) NMOS devices was achieved. Combining on wafer measurements with the compact model MOS model 11, we demonstrate that an f
Autor:
V.M.H. Meyssen, R.M.D.A. Velghe, Pierre H. Woerlee, M.J. Knitel, A.T.A. Zegers van Duijnhoven
Publikováno v:
31st European Solid-State Device Research Conference.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.