Zobrazeno 1 - 10
of 313
pro vyhledávání: '"R.M. Fleming"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
C. D'Emic, J.R. Schwank, Marty R. Shaneyfelt, Evgeni Gusev, Paul E. Dodd, J.A. Felix, R.M. Fleming, Daniel M. Fleetwood
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 51:3143-3149
We examine the radiation response, annealing characteristics, and long-term reliability of capacitors with Al gates and Al/sub 2/O/sub 3/-SiO/sub x/N/sub y/ gate dielectrics stacks which received a forming gas anneal (FGA) or an O/sub 2/ and FG annea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b45a1ca632d7268253828f068376bcde
https://doi.org/10.1109/tns.2004.839204
https://doi.org/10.1109/tns.2004.839204
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 152:241-244
α-Hexathienyl is a most promising thin film transistor material. For the first time crystals large enough (500 μm) for single crystal X-ray determinations have been prepared. A 30 mg melt was contained in a small capillary which was cooled in a hot
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::89c7771686e71ae116bf4b16a29c94ad
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00134-4
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00134-4
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217).
A new class of high dielectric constant materials is presented based on binary and ternary amorphous metal oxides. These films are compatible with low temperature processing and can be used with conventional metal electrodes like TiN. Metal alloys of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2fad13fcdc95a5cc94fbca264a36cf54
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746482
https://doi.org/10.1109/iedm.1998.746482
Autor:
J.H. Marshall, Robert Joseph Cava, David K. Fork, C. H. Chen, R.M. Fleming, R. B. van Dover, Chang-Beom Eom, D.J. Werder, Julia M. Phillips
Publikováno v:
MRS Proceedings. 310
We have fabricated epitaxial ferroelectric heterostructures of isotropic metallic oxide (SrRuO3) and ferroelectric thin films [SrRuO3/Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 /SrRuO3] on (100) SrTiO3 and YSZ buffer layered Si substrates by 90° off-axis sputtering. These
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8674ff2d00cb243a674119dab293eb34
https://doi.org/10.1557/proc-310-145
https://doi.org/10.1557/proc-310-145
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 154:211
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8f1e72343b8cdcdaf676f5dd3de03927
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00312-6
https://doi.org/10.1016/0022-0248(95)00312-6