Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"R.M. DelaRue"'
Publikováno v:
IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 1:757-761
We present what we believe is the highest efficiency and lowest threshold current density ever reported for semiconductor ring resonator lasers. Ring lasers are interesting components, e.g. for fiber-to-the-home systems, because they can readily be i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3994344635ded5222741827f4ee9ef98
https://doi.org/10.1109/2944.401268
https://doi.org/10.1109/2944.401268
Publikováno v:
Electronics Letters. 30:1444-1446
The authors report the first realisation of a two-dimensional photonic bandgap structure with a period of lambda /sub 0//2n in the GaAs/AlGaAs material system. The structure consists of a honeycomb lattice with a wall thickness of approximately 30 nm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::396f9a0b706883ec5c4cd32564eed9ac
https://doi.org/10.1049/el:19940987
https://doi.org/10.1049/el:19940987
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 64:2788-2790
Strip‐loaded semiconductor ring lasers were successfully fabricated in the GaAs/AlGaAs material system. The radius was 400 μm and a 2×2 3 dB multimode interference coupler 320 μm long was used to extract the output signal. Devices operated conti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::29043be9c6aa089780181bc19068d17d
https://doi.org/10.1063/1.111446
https://doi.org/10.1063/1.111446
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We report the first realization of two-dimensional photonic bandgap structures with a period of /spl lambda//sub 0//2n in the GaAs/AlGaAs material system. We discuss the lithography and dry etching issues that are important for a successful device im
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::10ab39db7651041b33b5abbee2b5d3ee
https://doi.org/10.1109/leos.1994.586631
https://doi.org/10.1109/leos.1994.586631
Publikováno v:
Proceedings of IEEE 14th International Semiconductor Laser Conference.
We present strip-loaded ring lasers in GaAs/AlGaAs that operate with a threshold current of 140 mA for a total pumped device length of 4.5 mm and a quantum efficiency of 7% (per output), to our knowledge the highest efficiency for such lasers reporte
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5b7c4cc6d8e68ff9237ed96b6785c536
https://doi.org/10.1109/islc.1994.519147
https://doi.org/10.1109/islc.1994.519147
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.