Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"R.M. Boysel"'
Autor:
R.M. Boysel
Publikováno v:
[1991] 49th Annual Device Research Conference Digest.
Summary form only given. A 1920*1080 element deformable mirror device (DMD) for the development of a high-definition display (HDD) is discussed. This chip is capable of projecting fixed patterns in full color at a 60-Hz frame rate. A DMD is a reflect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::288f191bfecfb0dd522cf31b3f051fb9
https://doi.org/10.1109/drc.1991.664716
https://doi.org/10.1109/drc.1991.664716
Publikováno v:
LEOS '92 Conference Proceedings.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8fd19ffe91a5f13e10c593424148e40e
https://doi.org/10.1109/leos.1992.693997
https://doi.org/10.1109/leos.1992.693997
Autor:
K.A. German, J.A. Kubby, M. Winters, P. Gulvin, W. Hawkins, K.A. Feinberg, J. Meyers, M. Boysel, N. Jia, P. Lin, J. Ma, Y.R. Wang, P. Nystrom, R.M. Boysel, J.C. Diehl, L.H. Herko
Publikováno v:
18th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems, 2005. MEMS 2005..
A new multi-user hybrid surface and bulk micromachining process on silicon-on-insulator (SOI) wafers is discussed. This 13-mask process consists of a doped polysilicon layer for electrical connection and non-critical structures and a single crystal s
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e1db2f71d6ceecc640fad2485a3b285a
https://doi.org/10.1109/memsys.2005.1453980
https://doi.org/10.1109/memsys.2005.1453980
Autor:
R.M. Boysel
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 38:2715
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::04e3e91e5bf45710efe483c57240be23
https://doi.org/10.1109/16.158747
https://doi.org/10.1109/16.158747
Autor:
R.M. Boysel, Fred Wudl, L. W. Rupp, Daniel Moses, S. Ochsenbein, J. Chen, A. J. Heeger, W. M. Walsh, S. Cox
Publikováno v:
Solid State Communications. 49:259-263
Resistivity measurements were carried out as a function of temperature and pressure in (TMTSF) 2F2PO2. A strong metal-insulator transition is observed at ∼137K which is only incompletely suppressed by high pressures. The nature of the resistivity c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::16868138686a6d867bfe235e324528df
https://doi.org/10.1016/0038-1098(84)90905-0
https://doi.org/10.1016/0038-1098(84)90905-0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.