Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"R.L. Mohler"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
W.J. Cote, Walter H. Henkels, R.L. Mohler, D.-S. Wen, R.H. Dennard, J.A. Bracchitta, Yuan Taur, T.J. Bucelot, C.W. Long, G.B. Bronner, R.L. Franch
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 26:1519-1529
The authors present the characterization of the first dynamic RAM (DRAM) fabricated in a technology specifically optimized for cryogenic operation. With the power supply adjusted to assure hot-electron reliability, the 25-ns 4-Mb low-temperature (LT)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::aef5f9825b0aa83a9d4238e534b5eea6
https://doi.org/10.1109/4.98967
https://doi.org/10.1109/4.98967
Autor:
W.H. Henkels, D.S. Wen, R.L. Mohler, R.L. Franch, T.J. Bucelot, C.W. Long, J.A. Bracchitta, W.J. Cote, G.B. Bronner, Y. Taur, R.H. Dennard
Publikováno v:
1991 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b92656c533a4885edaa187b44745c1f4
https://doi.org/10.1109/isscc.1991.689050
https://doi.org/10.1109/isscc.1991.689050
Autor:
Roy Edwin Scheuerlein, R.L. Mohler, E.J. Sprogis, Wendell P. Noble, B.J. Machesney, W.J. Craig, S. Dash, D.L. Critchlow, Nicky Chau-Chun Lu, P.E. Cottrell, L.M. Terman, R.M. Parent, Tak H. Ning
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 21:627-634
A (dynamic random-access memory) DRAM cell using a trench capacitor with a grounded substrate plate has been demonstrated, fabricated of functional fully decoded 64K arrays. The cell array is located inside the well and the trench capacitor extends f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc175072227ea20573ce4e170f83af53
https://doi.org/10.1109/jssc.1986.1052587
https://doi.org/10.1109/jssc.1986.1052587
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.