Zobrazeno 1 - 10
of 74
pro vyhledávání: '"R.L. Kubena"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Thin Solid Films. 92:165-169
A 70 kV focused Ga + beam was used to sputter patterns 100 μm long with various widths in SiO 2 /Si and GaAs wafers. V-shaped sputtered profiles were obtained when the beam was confined to regions of submicrometer width and the sputtered depths exce
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f5c08d7bf65a614b76261d6427cb6ad6
https://doi.org/10.1016/0040-6090(82)90199-7
https://doi.org/10.1016/0040-6090(82)90199-7
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science and Technology. 19:916-920
Focused ion beams from Au–Si, Au–Be, and B–Pt liquid–metal–alloy ion sources have been used to implant GaAs and Si. An Al stopping layer on the wafers was used to trap the Au and Pt ions. Hall mobilities consistent with those in bulk materi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8331e9d8a50135e6f6ff5b9842b3b757
https://doi.org/10.1116/1.571189
https://doi.org/10.1116/1.571189
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 2:152-154
A 2000-A-diameter focused-ion beam from a Au-Si liquid-metal-alloy ion source was used to implant the doped regions of GaAs metal-semiconductor gate field-effect transistors. An Al stopping layer on the wafer was used to trap the Au ions. The 140-keV
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::46b947f18826460cfb2f0ad8e6354c27
https://doi.org/10.1109/edl.1981.25378
https://doi.org/10.1109/edl.1981.25378
Publikováno v:
1983 International Electron Devices Meeting.
Si MOSFET fabrication using focused ion beamsR.L. Kubena, J.Y. Lee, R.A. Juliens, R.G. Brault,P.L. Middleton, and E.H. StevensHughes Research Laboratories, Malibu, California 90265AbstractSubmicrometer focused ion beams have been used both for the ma
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a03cd0e8a246bc905dd57be9ba1b4008
https://doi.org/10.1109/iedm.1983.190569
https://doi.org/10.1109/iedm.1983.190569
Autor:
D.E. Snyder, R.L. Kubena
Publikováno v:
1981 International Electron Devices Meeting.
The gallium arsenide permeable base transistor (PBT) has generated much interest recently as a device for use in discrete and integrated microwave circuits. In this work, the potential of the PBT as a microwave device in silicon is assessed. A two-di
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e678433648cc6433772685de19988e9c
https://doi.org/10.1109/iedm.1981.190159
https://doi.org/10.1109/iedm.1981.190159
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 33:310-311
Submicrometer n-channel enhancement-mode silicon MOSFET's with polysilicon gate lengths as small as 0.35 µm were fabricated using focused-ion-beam lithography. The polysilicon gate was patterned by a 80-kV Au-Si ion beam using a negative polystyrene
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::906c8a6694fef88039014739e845527e
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22484
https://doi.org/10.1109/t-ed.1986.22484