Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"R.J. Zaman"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 56:448-455
A novel trigate process is described in this paper for low-cost embedded CMOS-based one transistor-one capacitor (1T-1C) pseudo-static-random-access-memory (pseudo-SRAM) applications. By utilizing hydrogen anneal and a selective hard mask on the capa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::826a8f2543558e30e8b4dfedb4e9e7c6
https://doi.org/10.1109/ted.2008.2011850
https://doi.org/10.1109/ted.2008.2011850
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 28:916-918
It is reported that hydrogen anneal after fin formation improves the multigate MOSFET Ion/Ioff ratio. However, a higher anneal temperature also results in silicon loss from the fins, thereby reducing the effective width of the device, which results i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::02e8563efb5556760f2dd53192c0d17c
https://doi.org/10.1109/led.2007.905964
https://doi.org/10.1109/led.2007.905964
Publikováno v:
2006 IEEE international SOI Conferencee Proceedings.
Hydrogen anneal improves the multigate on-off characteristics considerably (Choi, 2003), however, a higher anneal temperature also results in silicon loss from the fin, thereby reducing the effective width of the device, which degrades its total driv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d72b89383b49453ab762894593c4b083
https://doi.org/10.1109/soi.2006.284474
https://doi.org/10.1109/soi.2006.284474
Autor:
Jean-Pierre Colinge, T. Schulz, M. Gostkowski, A. Woo, Anurag Chaudhry, Weize Xiong, C.R. Cleavelin, G. Gebara, P. Patruno, Ken Matthews, R.J. Zaman, Klaus Schruefer
Publikováno v:
2005 IEEE International SOI Conference Proceedings.
Fin thickness non-uniformity is a potential shortcoming of vertical multiple-gate devices such as FinFETs and tri-gate FETs. In this paper a test structure with intentionally misaligned gates is used to investigate the sensitivity of electrical chara
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4aebfb6c7d78abb2b14c412ee5f95191
https://doi.org/10.1109/soi.2005.1563571
https://doi.org/10.1109/soi.2005.1563571
Autor:
R.J. Zaman, C.R. Cleavelin, Ken Matthews, M. Gostkowski, Jean-Pierre Colinge, Shaofeng Yu, Tsu-Jae King, P. Patruno, C. Maleville, M. F. Pas, Weize Xiong, Rick L. Wise
Publikováno v:
2004 IEEE International SOI Conference (IEEE Cat. No.04CH37573).
Full/partial depletion effects are observed in n-channel FinFETs. Gate-induced floating body effect and degraded subthreshold slope are observed in partially depleted devices but not in fully depleted devices. Floating-body effects are observed in FD
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1220c137abd9bb35da97c5db79880456
https://doi.org/10.1109/soi.2004.1391613
https://doi.org/10.1109/soi.2004.1391613
Autor:
C. Rinn Cleavelin, Jean-Pierre Colinge, Tsu-Jae King, Ken Matthews, Shaofeng Yu, M. F. Pas, P. Patruno, C. Maleville, Weize Xiong, Rick L. Wise, R.J. Zaman, M. Gostkowski
Publikováno v:
Electronics Letters. 41:504
Effects that are found exclusively in partially depleted or fully depleted SOI MOSFETs are shown to appear simultaneously in n-channel FinFETs. The gate-induced floating body effect is normally observed in partially depleted devices only, while ideal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b7664a21463885adfc2c57aaf7d45a75
https://doi.org/10.1049/el:20050281
https://doi.org/10.1049/el:20050281
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.