Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"R.J. Bolam"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 50:941-944
In this paper, we discuss the electrical characteristics and reliability of UV transparent Si/sub 3/N/sub 4/ metal-insulator-metal (MIM) capacitors. We examine film thicknesses in the range of 55 to 25 nm with capacitance densities from 1.2 ff//spl m
Autor:
D.J. Schepis, F. Assaderaghi, D.S. Yee, W. Rausch, R.J. Bolam, A.C. Ajmera, E. Leobandung, S.B. Kulkarni, R. Flaker, D. Sadana, H.J. Hovel, T. Kebede, C. Schiller, S. Wu, L.F. Wagner, M.J. Saccamango, S. Ratanaphanyarat, J.B. Kuang, M.C. Hsieh, K.A. Tallman, R.M. Martino, D. Fitzpatrick, D.A. Badami, M. Hakey, S.F. Chu, B. Davari, G.G. Shahidi
Publikováno v:
International Electron Devices Meeting. IEDM Technical Digest.
In this paper a 0.25 /spl mu/m SOI CMOS technology is described. It uses undepleted SOI devices with nominal channel length of 0.15 /spl mu/m, minimum channel length in the 0.1 /spl mu/m range, supply voltage of 1.8 V, local interconnect, 6 levels of
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.