Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"R.I. Knight"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R.G. Walker, J.D. Armour, K. Slack, KF Lowe, R.I. Knight, W. J. Fulkerson, T.M. Bowdler, P.M. Pepper, P.W. Moody
Publikováno v:
Australian Journal of Experimental Agriculture. 45:21
Dairy farms in subtropical Australia use irrigated, annually sown short-term ryegrass (Lolium multiflorum) or mixtures of short-term ryegrass and white (Trifolium repens) and Persian (shaftal) (T. resupinatum) clover during the winter–spring period
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 21:193-201
The analysis of the external circuit response and internal behavior of an electron-bombarded semiconductor diode (EBS target) has been extended using static and dynamic computer simulation techniques. This work complements the previous simplest case
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 22:361-363
An EBS (electron bombarded semiconductor) pulse amplifier which generates high-current fast-risetime variable-width pulses into low impedance loads is described. Current pulses of 100 A into a 1-Ω load have been obtained with a risetime of 2.2 ns. A
Autor:
R.I. Knight, D.J. Bates
Publikováno v:
1977 International Electron Devices Meeting.
For 20 years, Electron Bombarded Semiconductor, or EBS, devices have shown promise for power amplification and power control applications. Until recently, products were not available; however, commercially available devices now provide characteristic
Publikováno v:
1977 International Electron Devices Meeting.
This paper describes an EBS amplifier for high power, broadband operation in the VHF/UHF frequency bands. The wideband EBS uses a deflected beam configuration with the semiconductor target internally interconnected to provide Class B operation. The e