Zobrazeno 1 - 10
of 241
pro vyhledávání: '"R.H. Lane"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
SPE Production & Facilities. 18:158-169
This paper describes a straightforward strategy for diagnosing and solving excess water production problems. The strategy advocates that the easiest problems should be attacked first and diagnosis of water production problems should begin with inform
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::ca11da080701e34643ac13172cf4eace
https://doi.org/10.2118/84966-pa
https://doi.org/10.2118/84966-pa
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Proceedings of the Bipolar Circuits and Technology Meeting.
A single-polysilicon-layer advanced super-high-speed (HS4+) BiCMOS technology which offers 1- mu m NMOS and PMOS devices, 13-GHz bipolar npn transistors, lateral pnps, Schottky diodes, polysilicon resistors, lateral fuses, and three layers of Al/Cu i
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6633811cd6ab126f72f5dff745f120a5
https://doi.org/10.1109/bipol.1989.69487
https://doi.org/10.1109/bipol.1989.69487
Publikováno v:
Proceedings of the 1988 Bipolar Circuits and Technology Meeting.
An advanced self-aligned high-speed bipolar transistor (HS4) with a polysilicon emitter is presented. The silicided external base region is separated from the polysilicon emitter by an oxide sidewall spacer. The effect of the spacer width and the dop
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ac4406720d77ebfc818366e30207e0b2
https://doi.org/10.1109/bipol.1988.51079
https://doi.org/10.1109/bipol.1988.51079
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.