Zobrazeno 1 - 10
of 11
pro vyhledávání: '"R.F. Lohr"'
Autor:
Y.K. Allen, M.W. Pierce, R.F. Lohr, R.A. Metzger, William E. Stanchina, P.F. Lou, Joseph F. Jensen, David B. Rensch, R.W. Quen
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 26:415-421
Integrated circuits (ICs) fabricated with AlGaAs/GaInAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) lattice matched to InP substrates are described. The transistors used in this work consisted of an abrupt emitter-base junction design. A cutoff frequen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c6ffdc580d281c179fbca5695e029a1
https://doi.org/10.1109/4.75028
https://doi.org/10.1109/4.75028
Publikováno v:
MTT-S International Microwave Symposium Digest.
Low power components for use in W-band (75-100 GHz), chirp RADARs have been developed. The development was based on a chirp bandwidth of 1.5 GHz. The components included resistive mixers for frequency conversion and generation of the chirp waveform a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::49efb5df5da5ead1262954a754d543d1
https://doi.org/10.1109/mwsym.1975.1123353
https://doi.org/10.1109/mwsym.1975.1123353
Publikováno v:
IEEE 1991 Microwave and Millimeter-Wave Monolithic Circuits Symposium. Digest of Papers.
The authors describe a novel approach to the realization of tunable/variable III-V planar microwave integrated circuits, which uses micromachined electrostatically controlled actuator technology. This technology is potentially compatible with convent
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ea8c5705fffccb0d4e00f20f99978e4e
https://doi.org/10.1109/mcs.1991.148080
https://doi.org/10.1109/mcs.1991.148080
Publikováno v:
TRANSDUCERS '91: 1991 International Conference on Solid-State Sensors and Actuators. Digest of Technical Papers.
An approach to the realization of tunable/variable GaAs microwave integrated circuits (MMICs) using micromachined electrostatically controlled actuator technology is described. This technology is potentially compatible with conventional GaAs MMIC fab
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6028869d7bd26ef8108d0b2109c9e72f
https://doi.org/10.1109/sensor.1991.148990
https://doi.org/10.1109/sensor.1991.148990
Publikováno v:
1979 International Electron Devices Meeting.
Direct writing electron-beam lithography has been utilized to fabricate high speed GaAs FET integrated circuits. The fabrication, design and testing of NOR and NAND gate flip flops incorporating 0.5 µm long single and dual-gate FETs is described. Th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7cfc079b363e9139cd678925f320c496
https://doi.org/10.1109/iedm.1979.189714
https://doi.org/10.1109/iedm.1979.189714
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science and Technology. 16:1668-1668
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::26704c032b1e4220964a8df996466c91
https://doi.org/10.1116/1.570268
https://doi.org/10.1116/1.570268
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 25:1340-1340
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::884260f718eea071c1423a25b6cf7f28
https://doi.org/10.1109/t-ed.1978.19287
https://doi.org/10.1109/t-ed.1978.19287
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.