Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"R.E. Plaag"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 38:1442-1449
An ion induced charge collection study, using an array of GaAs enhancement-mode MESFET geometries, has identified two primary excess charge collection effects, a fringe field effect and a gated channel effect. The introduction of a buried p-layer was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0f9c702b3855d6e71c884a625562e313
https://doi.org/10.1109/23.124130
https://doi.org/10.1109/23.124130
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 38:1435-1441
Special test structures fabricated with three different CMOS processes were used to investigate the effect of elevated temperature on single-particle latchup. The latchup threshold was strongly affected by contact geometry, and its temperature depend
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::32a8575ce16c0c22363ec384ed4a8a84
https://doi.org/10.1109/23.124129
https://doi.org/10.1109/23.124129
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 37:1818-1824
Low- and high-dose-rate testing results are compared for CMOS technologies. The long-term experiments extend over time periods of more than one year so that comparisons could be made over time frames more nearly like those in the space environment. H
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a03f9091572df10bd85af44b79f02e71
https://doi.org/10.1109/23.101195
https://doi.org/10.1109/23.101195
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 36:1858-1864
Interface traps in gate oxides were found to saturate at high total dose levels. An empirical model was developed to describe the nonlinear dependence and saturation characteristics. Three different processes were studied, namely, CMOS/SOS, hardened
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc3a24f9db590fc687e0f067b86e6a79
https://doi.org/10.1109/23.45379
https://doi.org/10.1109/23.45379
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 36:2229-2238
Topological factors that affect latchup were investigated using test structures fabricated in two different CMOS foundries. The geometry of isolation well contacts was found to have a large effect on photocurrent responses because of the effect of th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::049a01e1e35dec5855a7645e3b1d2f76
https://doi.org/10.1109/23.45429
https://doi.org/10.1109/23.45429
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 35:1563-1569
A lumped-model approach is used to determine three-dimensional effects that often dominate latchup behavior in complex integrated circuits. A preprocessor is used that automatically generates a SPICE-compatible file of up to several thousand elements
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eda5bd4cc530b2d3349baddc06f306f0
https://doi.org/10.1109/23.25498
https://doi.org/10.1109/23.25498
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.