Zobrazeno 1 - 10
of 104
pro vyhledávání: '"R.E. Paulsen"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 19:237-240
Boron penetration from p/sup +/ doped poly-Si gates in PMOSFET is greatly reduced by post poly-Si gate rapid thermal nitridation. Gate oxide reliability against boron penetration is significantly enhanced. When post poly-Si nitridation is combined wi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::9d4eb3b8dc8810484ed827096690022e
https://doi.org/10.1109/55.701428
https://doi.org/10.1109/55.701428
Autor:
I.-S. Lim, C.A. Billman, J. Makwana, Zhixu Zhou, P. Dahl, S. Tinkler, Y. Wang, M. Giovanetto, R.E. Paulsen, C. Reno, K.M. Klein, B. Bellamak, C.S. Kyono, D.W. Odle, S. Patel, Patrick M. Lenahan
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 45:655-664
Process integration is approached from a built-in reliability perspective in order to develop a pre-metal inter-level dielectric (ILDO) module which may be integrated into a submicron CMOS process with embedded nonvolatile memory. The approach involv
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ba6c2a01f43b984bc5674728a223bbd7
https://doi.org/10.1109/16.661227
https://doi.org/10.1109/16.661227
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 42:2004-2009
The anomalous hump observed in low frequency C-V curves of stressed devices is attributed to near-interface oxide traps, rather than so-called "interface" traps. A low frequency C-V model has been developed to interpret the effect of near-interface o
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fbfa3ce7661526e687e0a8f061fc5e2b
https://doi.org/10.1109/16.469410
https://doi.org/10.1109/16.469410
Autor:
Marvin H. White, R.E. Paulsen
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 41:1213-1216
A generalized charge pumping model has been developed which extends the use of charge pumping from a study of traps at the Si-SiO/sub 2/ interface to a study of traps in the oxide. The analytical model, based on tunneling theory, allows the spatial d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e8dd55ca3d7e8c62fff1b8fbd3ebbfaf
https://doi.org/10.1109/16.293349
https://doi.org/10.1109/16.293349