Zobrazeno 1 - 10
of 67
pro vyhledávání: '"R.E. Chase"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
P.J. Schmitz, P. A. Willermet, J. E. deVries, L. P. Haack, R.O. Carter, N. E. Lindsay, R.E. Chase
Publikováno v:
Spectrochimica Acta Part A: Molecular Spectroscopy. 49:2057-2070
The surfaces of tappet inserts subjected to lubricated, moving contact in a cam/tappet friction apparatus have been analyzed by IR reflection—absorption, X-ray photoelectron and Auger electron spectroscopies. The two lubricants used were similar fu
Publikováno v:
Surface and Coatings Technology. 53:189-197
The silicon nitride/SiAlON family of ceramic tool materials provides substrates with low thermal expansion coefficients for the deposition of continuous diamond films for prospective metal-cutting applications. Adhesion of diamond films grown by proc
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 36:2693-2696
A study of YBaCuO films on Si, SiO/sub 2/, and Si/sub 3/N/sub 4/ substrates demonstrates that rapid thermal processing can suppress the film-substrate reaction during the postgrowth oxygen annealing. By increasing the copper content of YBaCuO films t