Zobrazeno 1 - 10
of 12
pro vyhledávání: '"R.E. Ahrens"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 37:51-57
The sidegating effect in a MBE-grown HFET GaAs structure is considerable and persists to large distances. On the other hand, the leakage current is very low. A model that takes into account the unusual features of sidegating in this structure and is
Autor:
Simon P. Hogan, Fred D. Finkelman, H.N. Osterfield, Katherine Groschwitz, David Wu, Paul S. Foster, Klaus I. Matthaei, R.E. Ahrens
Publikováno v:
Journal of Allergy and Clinical Immunology. 123:S186-S186
Publikováno v:
Electronics Letters. 23:407
Argon ion implantation was used to create a damaged surface layer on field oxide. Subsequent oxide etching created a tapered oxide transition from thin oxide to thick field oxide. This structure effectively improves the breakdown voltage of the plana
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.