Zobrazeno 1 - 10
of 20
pro vyhledávání: '"R.C. Gee"'
Autor:
Sabrina E. Kemeny, Sunetra K. Mendis, Craig Staller, Quiesup Kim, Eric R. Fossum, Bedabrata Pain, R.C. Gee
Publikováno v:
IEEE Journal of Solid-State Circuits. 32:187-197
A family of CMOS-based active pixel image sensors (APSs) that are inherently compatible with the integration of on-chip signal processing circuitry is reported. The image sensors were fabricated using commercially available 2-/spl mu/m CMOS processes
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d4fc1553ebe215b6a97056970a7e4e6f
https://doi.org/10.1109/4.551910
https://doi.org/10.1109/4.551910
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 41:888-894
This paper discusses a characterization at 4 K of the complementary heterojunction field-effect transistor (CHFET), to examine its suitability for deep cryogenic ( >
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a44ce7d0620edf3b83ddc2ec0206ee8
https://doi.org/10.1109/16.293298
https://doi.org/10.1109/16.293298
Autor:
C.L. Lin, Jerry M. Woodall, R.C. Gee, C.W. Seabury, John A. Higgins, P.J. Kirchner, C.W. FarIey, B.T. McDermott
Publikováno v:
51st Annual Device Research Conference.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::24e3389400be3455a7bcc085d8f5c045
https://doi.org/10.1109/drc.1993.1009594
https://doi.org/10.1109/drc.1993.1009594
Autor:
Peter D. Kirchner, C. L. Lin, R.C. Gee, Jerry M. Woodall, P. M. Asbeck, T.-P. Chin, Charles W. Tu
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 13:247-249
The first N-p-n InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) with p-type carbon doping in InGaAs are reported. P-type carbon doping in the InGaAs base has been achieved by gas-source molecular beam epitaxy (GSMBE) using carbon tetrachloride (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e6dafda9220171fc91e19f2fdf30fabc
https://doi.org/10.1109/55.145042
https://doi.org/10.1109/55.145042
Autor:
Jerry M. Woodall, R.C. Gee, C. W. Seabury, Peter D. Kirchner, C. L. Lin, Peter M. Asbeck, J. A. Higgins, C. W. Farley
Publikováno v:
Electronics Letters. 29:850-851
High performance InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) incorporating carbon-doped bases and graded base-collector junctions implemented using a short period superlattice were grown by gas source MBE (GSMBE). Base hole concentra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a8414db08414b1b72f0a8042e9ec974f
https://doi.org/10.1049/el:19930568
https://doi.org/10.1049/el:19930568
Autor:
B.T. McDermott, C.W. Seabury, R.C. Gee, Jerry M. Woodall, C.W. Farley, John A. Higgins, C.L. Lin, P.J. Kirchner
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 40:2123-2124
Summary form only given. The authors have measured the gain of InGaAs HBTs (heterojunction bipolar transistors) as a function of base doping, with Zn and Be, using MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition), and with C, using gas source MBE (mol
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::de1dd78b0511c7fbe7b3c59c7ad88c9c
https://doi.org/10.1109/16.239800
https://doi.org/10.1109/16.239800
Autor:
R.C. Gee
Two sun trackers have been tested for tracking accuracy on an sun tracker. Both performed well during the entire test period. Their tracking performance as a function of insolation level was established, and their overall tracking accuracy (rms track
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1af6d1aa95a140608d6231b2f52a8385
https://doi.org/10.2172/5351353
https://doi.org/10.2172/5351353
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.