Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"R.B. Dzhanelidze"'
Autor:
N. I. Kurdiani, Yu.I. Pashintsev, G.D. Bagratishvili, O.V. Saksaganski, V.A. Skorikov, R.B. Dzhanelidze
Publikováno v:
Thin Solid Films. 56:209-213
Some properties of GaAs and Ge3N4 metal-insulator-semiconductor (MIS) structures are presented. The static electrical characteristics of thin film MIS field-effect transistors (MISFETs) based on these structures are described. It is shown that the el
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d95375ea2e3c3d226e2bae581dcd7d75
https://doi.org/10.1016/0040-6090(79)90065-8
https://doi.org/10.1016/0040-6090(79)90065-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.