Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"R.A. Furnanage"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 35:230-239
A dielectrically isolated bipolar-CMOS-DMOS (BCDMOS) integrated-circuit technology that has been successfully developed for high-voltage applications (150-500 V) is reported. This technology integrates bipolar, CMOS, DMOS, p-n-p-n, JFET, and DGDMOS (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::48fe3ae406d4c0195e5400f190ce421d
https://doi.org/10.1109/16.2443
https://doi.org/10.1109/16.2443
Autor:
R.A. Furnanage, W.T. Lynch
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 14:705-709
The application of planar and beam-lead technologies to GaAs has permitted the fabrication of integrated arrays of electroluminescent diodes. The arrays, to date, have consisted of 4 × 4 matrices, and larger arrays are now considered to be feasible.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0a4041b6ea309b2e7d57c452c4adb9d3
https://doi.org/10.1109/t-ed.1967.16091
https://doi.org/10.1109/t-ed.1967.16091
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 18:627-633
Beam lead GaP electroluminescent diodes have been developed using a quasi-planar configuration. This new structure couples the advantages of beam lead technology to the high-efficiency GaP p-n junctions prepared by liquid phase epitaxial (LPE) growth
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::25eb312032ea0f527443e1de008a5546
https://doi.org/10.1109/t-ed.1971.17257
https://doi.org/10.1109/t-ed.1971.17257
Autor:
R.A. Furnanage, W.T. Lynch
Publikováno v:
1966 International Electron Devices Meeting.
Planar and beam lead technologies have been successfully combined in GaAs for the first time with the batch fabrication of four by four matrix arrays of electroluminescent diodes. The diodes are Zn-diffused on 10 mil centers with Zn-masking being pro
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44640df21534c07d55017035130561a1
https://doi.org/10.1109/iedm.1966.187656
https://doi.org/10.1109/iedm.1966.187656
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.