Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"R. Volant"'
Autor:
J.S. Zimmerman, Brian Flachs, John S. Liberty, T.J. Bucelot, J. Keaty, R. Volant, P. Kapusta, S. Weitzel, Phillip J. Restle, S. Chan
Publikováno v:
ISSCC
Resonant clocking techniques show promise in reducing global clock power and timing uncertainty (skew and jitter). By resonating the large global clock capacitance with an inductance, the energy used to charge the clock node each period can be recycl
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::450c8f6fd709ec844fd430618f14e423
https://doi.org/10.1109/isscc.2008.4523282
https://doi.org/10.1109/isscc.2008.4523282
Autor:
D. Restaino, Sarah H. Knickerbocker, R. Volant, Takashi Hisada, S. Allard, S. McKnight, Kamalesh K. Srivastava, Kevin S. Petrarca, Tien Cheng, Frederic Beaulieu, Wolfgang Sauter
Publikováno v:
56th Electronic Components and Technology Conference 2006.
Nickel and gold are electrodeposited on wire bond pads by a newly developed selective plating process in which plating is done without photoresist. The gold terminal metal offers exciting advantage over the traditional aluminum metallurgy. The unique
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::236f056dc6777081dbfe20c038f63de5
https://doi.org/10.1109/ectc.2006.1645922
https://doi.org/10.1109/ectc.2006.1645922
Autor:
John E. Florkey, T.S.D. Cheung, R. Volant, Christopher M. Schnabel, Kenneth J. Stein, K. Vaed, Z.X. He, J.R. Long, Anil K. Chinthakindi
Publikováno v:
CICC
Differential shielding reduces substrate losses and improves the Q-factor of a monolithic inductor on silicon by up to 35% without process modification or a patterned ground shield. Peak Qs of 32 for 4 /spl mu/m thick aluminum and 28 for 2.3 /spl mu/
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::073cf0cd9fb7594312842b4a678c4afd
https://doi.org/10.1109/cicc.2003.1249367
https://doi.org/10.1109/cicc.2003.1249367
Autor:
J. Dunn, G. Freeman, D. Harame, A. Joseph, D. Coolbaugh, R. Groves, K. Stein, R. Volant, S. Subbanna, V.S. Marangos, S. St Onge, E. Eshun, P. Cooper, J. Johnson, J. Rieh, V. Ramachandran, D. Ahlgren, D. Wang, X. Wang
Publikováno v:
24th Annual Technical Digest Gallium Arsenide Integrated Circuit (GaAs IC) Symposiu.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::30743c20a5d084913bf786aa821f904b
https://doi.org/10.1109/gaas.2002.1049046
https://doi.org/10.1109/gaas.2002.1049046
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.