Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"R. Traute"'
Publikováno v:
Sensors and Actuators B: Chemical. 123:1064-1070
In a metal-oxide semiconductor gas sensor, the sensitivity of the metal-oxide resistance to concentrations of reducing gases in the surrounding atmosphere is known to be related to adsorption and desorption of gas on the redox reactions between the g
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::05da5b6132432bb75d07da099ff7bffe
https://doi.org/10.1016/j.snb.2006.11.012
https://doi.org/10.1016/j.snb.2006.11.012
Publikováno v:
Proceedings of the 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs. ISPSD'98 (IEEE Cat. No.98CH36212).
Polysilicon is usually used as a gate material for MOS-gated power devices and can also be used for the fabrication of active components. These components can be integrated on the surface of semiconductor devices, which are dielectrically insulated b
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f78306b61df3a20d758b7b8ccb27832a
https://doi.org/10.1109/ispsd.1998.702719
https://doi.org/10.1109/ispsd.1998.702719
Autor:
Hoffmann, R. Traute
Publikováno v:
Zeitschrift für Sozialreform; okt1993, Vol. 39 Issue 10, p629-640, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.