Zobrazeno 1 - 10
of 177
pro vyhledávání: '"R. Toyama"'
Autor:
J. Ngo Elogan Ntem, V. Ngounfack Tiokeng, R. Toyama, Y. Berinyuy Konglim, J.F. Takou, N. Togoum, T. Ngnotue, M.S. Tchouatcha
Publikováno v:
Solid Earth Sciences, Vol 9, Iss 3, Pp 100188- (2024)
The sediments from the Mayo Oulo intracontinental Basin, along the N–S cross section between the Gadavou and Lombel localities in central part of the basin, were investigated through major and trace elements geochemistry associated with palynologic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8945abd2a78045949d96e674c99bc2f0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Toyama, Jun Ochiai, Takatoshi Yamada, Daniel H. C. Chua, Tomoaki Masuzawa, Ichitaro Saito, Ken Okano, Joshua D. John
Publikováno v:
Electronics Letters. 53:1270-1272
The electronic properties of the junction formed between multi-nanolayer amorphous selenium and silicon are studied. The current–voltage (I–V) relationship of this type of junction was characterised and the result showed pn junction rectification