Zobrazeno 1 - 10
of 99
pro vyhledávání: '"R. Stengl"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Martin Wurzer, Sabine Boguth, Herbert Schäfer, R. Schreiter, M. Rest, Klaus Aufinger, R. Stengl, Thomas Meister, Josef Bock, Herbert Knapp
Publikováno v:
Applied Surface Science. 224:18-23
The technique of selective epitaxial growth (SEG) of Si, SiGe, and SiGe:C is described in general and with respect to the application in hetero bipolar transistors (HBTs). Advantages like easy fabrication of self-aligned transistor structures are acc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5e54d23a8c2e17912cb256bc7683260e
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.08.023
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2003.08.023
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 17:1130-1134
Secondary ion mass spectrometry (SIMS) supported the development of deep trench capacitors in dynamic random access memory. SIMS is done efficiently by analyzing thousands of cells in parallel and the approach described in this article is scaleable t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5f588f408e85a674290516088cb66a8b
https://doi.org/10.1116/1.581785
https://doi.org/10.1116/1.581785
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics A Solids and Surfaces. 50:85-94
Models for the growth and shrinkage of an interfacial oxide layer and for the stability of the interfacial oxide layer are formulated. Predictions of these models are compared to results obtained by high-resolution transmission electron microscopy. W
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::66b3ce1c702380a444a1f65514c099da
https://doi.org/10.1007/bf00323957
https://doi.org/10.1007/bf00323957
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Schreiter, S. Boguth, Al. Scholtz, M. Rest, Thomas Meister, Christoph Kienmayer, Daniel Kehrer, Klaus Aufinger, Werner Simburger, R. Stengl, Marc Tiebout, W. Perndl, Christoph Sandner, Herbert Knapp, Josef Bock, R. Thuringer, Martin Wurzer, Hans-Dieter Wohlmuth, Herbert Schäfer
Publikováno v:
Proceedings. 7th International Conference on Solid-State and Integrated Circuits Technology, 2004..
This paper presents recent advances in circuit design which evaluate the high-speed and low-power potential of state-of-the-art CMOS and SiGe bipolar technologies. In 0.13 /spl mu/m CMOS a 17 GHz ISM/WLAN RF front-end with only 130 mW power consumpti
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b3feaf818ca5986ee6f169b451bf9132
https://doi.org/10.1109/icsict.2004.1434945
https://doi.org/10.1109/icsict.2004.1434945
Autor:
M. Wurzer, T. Bottner, K. Aufinger, R. Stengl, Herbert Knapp, J. Bock, T.F. Meister, S. Boguth, H. Schafer, W. Perndl
Publikováno v:
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004..
A SiGe bipolar technology with a transit frequency of 225 GHz and a maximum oscillation frequency of 300 GHz is described. With a ring oscillator gate delay of 3.3 ps and a static frequency divider operating up to 102 GHz input frequency state-of-the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::41dbb9542fa0b080f268ac56798541cb
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419124
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419124