Zobrazeno 1 - 10
of 459
pro vyhledávání: '"R. Stall"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
International Journal of Food Science & Technology. 13:175-186
Summary Efficiency of treatment of food processing wastes by an activated sludge process was explored in a model treatment unit. Effects of varying the ratio of chemical oxygen demand (COD) to phosphorus and nitrogen were examined. It was found that
Over the past two decades increasing interest has emerged in the contribu tions that the social sciences might make to the epidemiological study of patterns of health and disease. Several reasons can be cited for this increasing interest. Primary a
Autor:
R. Stall
Publikováno v:
Archives of Internal Medicine. 154:57-63
Publikováno v:
CASE
This study is concerned with an intelligent interpretation of medical data in the sense that involved complexities and uncertainties (arising in understanding the data behavior) are properly (i.e. mathematically) handled. The uncertainties in data in
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hong Q. Hou, C.S. Murray, C.X. Wang, R. Stall, J.B. Clevenger, D.J. Bossert, F.D. Newman, Shangzhu Sun
Publikováno v:
IEEE/LEOS Summer Topi All-Optical Networking: Existing and Emerging Architecture and Applications/Dynamic Enablers of Next-Generation Optical Communications Systems/Fast Optical Processing in Optical Transmission/VCSEL and Microcavity Lasers..
Summary form only given. An Emcore D 180 metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system was used to develop 1.3 micron InGaAsN/GaAs vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs). The InGaAsN VCSELs are dry etched to form a 42 micron mesa th
Publikováno v:
Device Research Conference. Conference Digest (Cat. No.01TH8561).
Microwave measurements from 3x5 /spl mu/m/sup 2/ self-aligned NpN InGaAsN DHBT devices indicate that this low band gap material system can be successfully implemented in a GaAs-based HBT structure for lowering the turn-on voltage while attaining high
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.