Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"R. Soreefan"'
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 16:838-842
Fully depleted silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field effect transistors with junction-isolated back gate electrodes formed by implanting boron through the silicon film and buried oxide into lightly doped n-type separation by implantati
Publikováno v:
1996 IEEE International SOI Conference Proceedings.
Summary form only given. Recently Yang et al. (1995) have reported a fully-depleted SOIAS MOSFET structure in which an oxide-isolated polysilicon backgate electrode is formed beneath the channel. The device threshold voltage can be modulated by biasi
Publikováno v:
Electronics Letters. 32:1093
A simple junction-isolated backgate electrode, formed by boron implantation through the buried oxide, is shown to provide effective dynamic control of device thresholds in fully depleted SOI CMOS for ≃ 1 V power supply operation.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.