Zobrazeno 1 - 10
of 57
pro vyhledávání: '"R. Siemieniec"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD).
The interaction between the reverse recovery charge and the output charge in trench power MOSFETs is discussed. As the trade-off between the on-resistance and the gate charge improves, the output capacitance has more impact on the reverse recovery lo
Publikováno v:
2013 15th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE).
This paper presents a study of the behavior of power MOSFET devices under hard commutation of the body diode as well as improvements of that behavior shown by latest technology developments based on detailed simulations of the device. Hard commutatio
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
R. Siemieniec, I. Pawel
Publikováno v:
Innovations and Advanced Techniques in Systems, Computing Sciences and Software Engineering ISBN: 9781402087349
Experiments revealed a dependence of sustained avalanche current on epitaxial layer structure, ambient temperature and chip size. With higher on-resistance, the avalanche current normally increases as well. A new mixed-mode simulation model proposed
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::011f218cf3d8299d0f597b5aec679255
https://doi.org/10.1007/978-1-4020-8735-6_3
https://doi.org/10.1007/978-1-4020-8735-6_3
Publikováno v:
9th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2008).
The idealised on-state resistance vs. breakdown voltage behaviour for field-plate compensated devices is analysed for different impact ionisation models. For small device dimensions, we found a significant deviation from common values of maximum dopi
Autor:
Ralf Heiderhoff, Ludwig Josef Balk, H.-J. Schulze, R. Siemieniec, C. Geissler, A. Pugatschow, F.-J. Niedernostheide
Publikováno v:
9th International Seminar on Power Semiconductors (ISPS 2008).
The development of appropriate edge termination structures is a challenging task for all kinds of different vertical power semiconductors such as high-voltage diodes, IGBTs or especially compensation devices. Ion-beam induced charge microscopy and el
Autor:
R. Siemieniec, Ludwig Josef Balk, Christian Geissler, Maximilian Rösch, Franz Hirler, A. Pugatschow, I. Pawel
Publikováno v:
2007 European Conference on Power Electronics and Applications.
The avalanche behavior of new 150 V trench power MOSFETs was designed with the help of two- dimensional device simulation techniques. The devices employ the compensation principle for low on-state losses. A new edge-termination structure ensures that