Zobrazeno 1 - 10
of 132
pro vyhledávání: '"R. Shringarpure"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Q.M. Anstee, S. Harrison, A.J. Sanyal, V. Ratziu, M. Rinella, Z.Y. Younossi, J. Boursier, S. Francque, A. Geerts, S. Petta, E. Bugianesi, M. Romero-Gomez, J.M. Schattenberg, S. Sarkar, M. Bonacini, M. Yataco, M. Porayko, A. Siddique, J. Dufour, T. Ferro, A. Venugopal, L. Zaru, R. Shringarpure, L. Macconell, Z. Goodman, R. Loomba
Publikováno v:
Digestive and Liver Disease. 52:S163
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::73205a086188ca45e079128eba468778
https://doi.org/10.1016/s1590-8658(20)30857-4
https://doi.org/10.1016/s1590-8658(20)30857-4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 29:93-95
This letter describes a method to identify the channel region of hydrogenated amorphous silicon thin film transistors (a-Si:H TFTs) in which threshold voltage(Vth) degradation occurs. The TFTs are subjected to gate bias stress under different operati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f1ffc13303adfa60514690642232875a
https://doi.org/10.1109/led.2007.911609
https://doi.org/10.1109/led.2007.911609
Autor:
Lawrence T. Clark, E. J. Bawolek, Daniel Toy, Zi Li, David R. Allee, R. Shringarpure, Sameer M. Venugopal
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 54:1781-1783
This brief presents a novel approach to modeling gate bias-induced threshold-voltage (Vth) degradation in hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors (TFTs). The Vth degradation model is added to the SPICE 3.0 TFT device model to obtain a co
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e5d477b7b509ceaed73d821d7f7e708b
https://doi.org/10.1109/ted.2007.899667
https://doi.org/10.1109/ted.2007.899667
Autor:
Zhiwei Li, Sameer M. Venugopal, Shawn M. O'Rourke, Edward J. Bawolek, S.G. Uppili, R. Shringarpure, H. Shivalingaiah, David R. Allee, Bryan D. Vogt, J.J. Ravindra Fernando, Lawrence T. Clark, Korhan Kaftanoglu
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices.
This paper reviews amorphous silicon thin-film-transistor (TFT) degradation with electrical stress, examining the implications for various types of circuitry. Experimental measurements on active-matrix backplanes, integrated a-Si:H column drivers, an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::116348022daae581405c54acd008443e
https://doi.org/10.1109/ted.2009.2019387
https://doi.org/10.1109/ted.2009.2019387