Zobrazeno 1 - 10
of 106
pro vyhledávání: '"R. Saia"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Anh-Vu Pham, L. Sprinceanu, R. Saia, V. Krishnamurthy, B. Schmanski, W. Marcinkewicz, D. Bates
Publikováno v:
IEEE Transactions on Advanced Packaging. 25:98-101
We present the design and development of Ta/sub 2/N thin-film resistors for the multilayer organic multichip module (MCM) at microwave and millimeter wave frequencies. The Ta/sub 2/N thin-film resistors are integrated directly onto multilayer Kapton
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::686229b4377cfd12a31810095ef3ae5f
https://doi.org/10.1109/tadvp.2002.1017691
https://doi.org/10.1109/tadvp.2002.1017691
Autor:
Peter Micah Sandvik, Greg Dunne, James Jay McMahon, Ronald J. Olson, Zachary Stum, R. Beaupre, R. Saia, V. Stolkarts, Alexander Viktorovich Bolotnikov, Yang Sui, D. Esler, A. Gowda, A. Johnson, Liangchun Yu, Michael Hartig, Stacey Kennerly, David Alan Lilienfeld, James W. Kretchmer, Peter Almern Losee, S. D. Arthur, Ljubisa Dragoljub Stevanovic, X. Zhu
Publikováno v:
2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD).
In this paper, we report on 1.2kV SiC MOSFETs rated to T j, max =200°C, exhibiting improved performance characteristics across operating temperature. Our devices show stable, rugged and reliable operation when subjected to industry standard qualific
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6dfec0834263492360038d94b4efd9f8
https://doi.org/10.1109/ispsd.2014.6856035
https://doi.org/10.1109/ispsd.2014.6856035
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
TRANSDUCERS 2007 - 2007 International Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference.
This paper presents a robust, low power MEMS igniter built using low pressure chemical vapor deposited (LPCVD) polycrystalline Silicon Carbide films. The MEMS igniter design is based on a 5 mum thick, low stress membrane composed of doped and undoped
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4a6c3cf69b467c290195fd32b71ad927
https://doi.org/10.1109/sensor.2007.4300596
https://doi.org/10.1109/sensor.2007.4300596
Autor:
K. Shenai, P.A. Piacente, Bantval Jayant Baliga, R. Saia, William Andrew Hennessy, C. S. Korman
Publikováno v:
Technical Digest., International Electron Devices Meeting.
A novel high-frequency power FET technology is reported that is based on the application of blanket-deposited LPCVD (low-pressure chemical vapor deposition) WSi/sub 2/ to reduce the gate sheet resistance and selectively deposited LPCVD W to improve t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6a14991e4e37ce5a3b56f3f90dac90da
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32933
https://doi.org/10.1109/iedm.1988.32933
